空穴导电半导体。在半导体中掺入了低价杂质。例如在四价的硅或锗中掺入了三价的杂质铝、镓或铟后便形成p型半导体。其导电机制如下：一个三价的杂质Al原子取代晶格中的Si原子后，为了能和最邻近的四个Si原子形成共价键，必须从其他Si原子取得一个价电子，这就需要外界提供微小的能量。失去了一个价电子的Si原子外层便形成了一个缺少负电荷(相当于带正电荷)的电子空穴。随后其他Si原子的价电子又可迁入此电子空穴中，而空穴则迁移到其他Si原子上。这样一来，导电过程就是电子空穴的迁移过程。从能带角度看，从Si原子迁移到Al原子外层的价电子处于接近于价带顶部的受主能级Ea上，同时 ...... （共419字） [阅读本文]>>
材料科学与工程具有铁磁性质的材料有以下一些特点：①即使没有外磁场，在材料内部各个小区域 (磁畴) 内仍存在永久磁矩。但未经磁化的磁性材料在没有外磁场时各磁畴的磁矩方向是任意分布的，其矢量和为零，故材料整体并无磁性。
材料科学与工程一块半导体内部p型区与n型区分界面形成区域。如果在高纯的Si或Ge半导体片的两侧分别掺入五价的杂质(如P、As)和三价的杂质(如Ga、In)，那么就得到一侧是n型半导体，另一侧是p型半导体的材料，n型
材料科学与工程如果在相变前后作为自由能(吉氏自由能G或赫氏自由能F)的一阶导数的物理量的变化是连续的，但作为二阶导数的物理量，如热容量(Cp＝-T(∂2G/∂T2)p， Cv＝-T(∂2F/∂T2)，)、压缩系数
材料科学与工程又称内摩擦。在有缺陷(包括点缺陷、线缺陷和面缺陷)的固体中，由于缺陷引起的对固体变形的阻力。内耗表现在以下两类典型现象中。第一类是振动现象。在没有内耗的理想固体中，振动是无阻尼的，此时自由振动(没有外
材料科学与工程由许多能量差别非常小的能级形成的近似连续的带。在大量原子聚集成固体时，由于每个原子在聚集前(自由态)的能级均发生分裂，形成大量能量差别非常小的能级，可以看成是近似连续的带。例如，当两个氢原子由远趋近时
上一篇