由许多能量差别非常小的能级形成的近似连续的带。在大量原子聚集成固体时，由于每个原子在聚集前(自由态)的能级均发生分裂，形成大量能量差别非常小的能级，可以看成是近似连续的带。例如，当两个氢原子由远趋近时，一个1s能级就分裂为两个能级，σ1s和σ*1s，前者称为成键能级，后者称为反键能级。如果有N个原子聚集，每个原子的s能级就会分裂为N个能级。分裂的能级数目正比于原子数目，而最高和最低能级间的能量差仅取决于原子间距，与原子数无关。因此，原子数越多，能级之间的距离就越近(相邻能级的能量差越小)。对于1摩尔固体，在同样的最高和最低能级间将有N=6.02×1023个由s态 ...... （共633字） [阅读本文]>>
材料科学与工程具有铁磁性质的材料有以下一些特点：①即使没有外磁场，在材料内部各个小区域 (磁畴) 内仍存在永久磁矩。但未经磁化的磁性材料在没有外磁场时各磁畴的磁矩方向是任意分布的，其矢量和为零，故材料整体并无磁性。
材料科学与工程一块半导体内部p型区与n型区分界面形成区域。如果在高纯的Si或Ge半导体片的两侧分别掺入五价的杂质(如P、As)和三价的杂质(如Ga、In)，那么就得到一侧是n型半导体，另一侧是p型半导体的材料，n型
材料科学与工程如果在相变前后作为自由能(吉氏自由能G或赫氏自由能F)的一阶导数的物理量的变化是连续的，但作为二阶导数的物理量，如热容量(Cp＝-T(∂2G/∂T2)p， Cv＝-T(∂2F/∂T2)，)、压缩系数
材料科学与工程又称内摩擦。在有缺陷(包括点缺陷、线缺陷和面缺陷)的固体中，由于缺陷引起的对固体变形的阻力。内耗表现在以下两类典型现象中。第一类是振动现象。在没有内耗的理想固体中，振动是无阻尼的，此时自由振动(没有外
材料科学与工程在4价元素Si或Ge中加入5价元素P或As就得到n型半导体。此时，高价元素P或As的一个价电子能级正好位于导带底部(略低于导带的最低能级)(如图)，故该电子能进入导带而成为传导电子。因而P或As就称为
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