半导体是介于导体和绝缘体之间的物质。常温下，它的电阻率约为10-7～108Ω · m。半导体的结构大多是共价链结合的晶体。但在半导体中，价电子从共价键中脱离出来所需的能量比绝缘体的要小得多，绝缘体要超过5eV，而半导体只要1eV左右。
半导体可以按其组成成分而分为本征半导体和杂质半导体两类。
1. 本征半导体
图2. 1—1 本征半导体的
电子跃迁
理论上，在温度为绝对零度时，纯净半导体是不导电的。但在外界的激发下 (外加足够强的电场，利用光或热的激发)，可使一部分电子从满带跃迁到导带，见图2.1—1。这样，半导体就能导电。但是，这样一来，满带中就出现了空位置，称为空穴。满带中的 ...... （共1281字） [阅读本文]>>
供用电常用电工图形符号，见表1.2—1。表1.2—1常用电工图形符号续表续表续表续表续表续表续表续表续表
供用电图纸幅面尺寸及图框格式，见表1.2—11。表1.2—11图纸幅面尺寸及图框格式
供用电在通常温度下，金属几乎不发射电子。当金属的温度足够高时，会有大量电子从金属中发射出来。这种现象称为金属的热电子发射。图2.1—3电子的逸出功金属中的自由电子可近似地看成在势阱①中运动。根据量子理论，自由
供用电当气体压强较低(约1mm汞柱)，而且控制电路中电流的变化，则气体击穿后会出现如图2.1—5所示的特性，图中的CF段称为辉光放电。辉光放电过程中，存在一段稳压区，即气体中电流改变时，极间电压几乎不变，如图
供用电弧光放电时，阴极表面的放电区域很集中，且有大量的电子发射出来，所以电流密度很大，而极间电位降很小，具有下降的伏安特性(见图2.1—5F点之后的曲线)，发出的光呈弧线状。图2.1—5辉光放电的特性曲线随着
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